Hersteller Teilnummer
STP75NS04Z
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-Leistungs-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
Geeignet für Hochleistungsanwendungen mit hoher Frequenzschaltanwendungen
Niedrige On-Resistenz bei niedrigen Leitungsverlusten
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Robustes Design mit hoher Robustheit und Zuverlässigkeit
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung
Zuverlässige und dauerhafte Leistung
Unterstützt den Hochfrequenzbetrieb
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 33 V
Durchgangsabflussstrom (ID): 80a bei 25 ° C
On-Resistenz (RDS (ON)): 11m Ω bei 40a, 10 V
Eingangskapazität (CISS): 1860PF bei 25 V
Leistungsdissipation (TC): 110W
Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 175 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Einhaltung der Richtlinie der ROHS3
Robustes To-220-Paketdesign
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Power -Konverter
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt wird aktiv unterstützt und nähert sich nicht nähert die Abnahme
Austausch- und Upgrade -Optionen sind verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistungseffizienz und Leistung
Zuverlässiger und langlebiger Betrieb
Unterstützt hochfrequente, hohe Leistungsanwendungen
Breiter Betriebstemperaturbereich
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
STP75NF75-CNSTMicroelectronics