Hersteller Teilnummer
STP9NM60N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Das STP9NM60N ist ein diskretes Halbleiterprodukt, insbesondere ein Transistor - FET, MOSFET - Single.
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
To-220 Paket
600 V Abfluss zur Quellspannung
± 25 V Tor zur Quellspannung
745 MOHM DRAIN, um eine vor Ort vorliegende Quelle zu erhalten
5a kontinuierlicher Abflussstrom
452PF -Eingangskapazität
70W Stromversorgung
N-Kanal-Mosfet
4 -V -Torschwellenspannung
10 -V -Antriebsspannung
4nc Gate Ladung
Produktvorteile
Hochspannungsfähigkeit
Niedriges On-Resistenz
Hoher Stromhandhabung
Kompaktes To-220-Paket
Wichtige technische Parameter
Abtropfen Sie zur Quellspannung: 600 V
Tor zur Quellspannung: ± 25 V
Abtropfen Sie zur Quelle vor Ort: 745 MOHM
Kontinuierlicher Abflussstrom: 6,5a
Eingangskapazität: 452pf
Leistungsdissipation: 70W
Gate -Schwellenspannung: 4V
Torladung: 17,4nc
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Durch Lochmontage
Kompatibilität
Kompatibel mit der Mdmesh II -Serie
Anwendungsbereiche
Geeignet für Leistungsumwandlung, Motorkontrolle und andere Hochspannungsanwendungen mit hoher Spannung
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Kompaktes To-220-Paket für eine einfache Integration
Kompatibilität mit der Mdmesh II -Serie
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
STP9NK90Z MOSSTMicroelectronics
STP9NK80ZFPSTCHN