Hersteller Teilnummer
STR1P2UH7
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor -FET, MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
SOT-23-3-Paket
Stripfet H7 -Serie
P-Kanal-Mosfet
Max Drain-Source-Spannung: 20V
Max Gate-Source-Spannung: ± 8 V
Max -Abflussstrom: 1,4a
Widerstand im Stadium: 100 mΩ @ 700 mA, 4,5 V
Eingabekapazität: 510pf @ 10v
Max -Leistungsdissipation: 350 MW
Schwellenspannung: 1V @ 250 μA
Antriebsspannungsbereich: 1,8 V bis 4,5 V.
Gate Ladung: 4,8nc @ 4,5 V
Produktvorteile
Kompaktes SOT-23-3 Surface Mount-Paket
Niedriger Widerstand im Zustand für effiziente Stromschaltungen
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Wichtige technische Parameter
Spannung, Strom, Widerstand, Kapazität, Leistungsaufteilung
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Stromschaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Leistungsmanagement
Schaltkreise umschalten
Batteriebetriebene Geräte
Produktlebenszyklus
Aktuelle Produktion, keine Pläne für den Absetzen
Ersatz-/Upgrade -Optionen verfügbar
Hauptgründe zur Auswahl
Kompakte Größe, niedrige Einweichung und Hochtemperaturbetrieb
Geeignet für eine effiziente Stromschaltung in verschiedenen elektronischen Anwendungen
ROHS-Konformität für umweltfreundliches Design


STR10R167-Q3AMD Xilinx