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STS2DPFS20V - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS2DPFS20V
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS2DPFS20V
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
Verpackung
8-SOIC
Datenblatt
1.STS2DPFS20V.pdf ...

Datenblätter

STS2DPFS20V.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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vorrätig: 4950

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Spezifikation

STS2DPFS20V Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS2DPFS20V Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS2DPFS20V

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STS2D  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STS2DPFS20V

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Einzel-P-Kanal-Leistungsmosfet-Gerät

Produktfunktionen und Leistung

20V Abflussspannung

200 mΩ max. On-Resistenz

5a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C

150 ° C Maximale Anschlusstemperatur

Schottky Diode integriert

Niedrige Torladung

Produktvorteile

Effiziente Leistungsumwandlung

Platzsparende Oberflächenmontagepaket

Geeignet für Hochfrequenzschaltanwendungen

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 20V

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 12 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 200m Ω

Abflussstrom (ID): 2,5a

Eingangskapazität (CISS): 315PF

Gate Ladung (QG): 4,7nc

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Entwickelt, um hohe Zuverlässigkeitsstandards zu erfüllen

Kompatibilität

Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen

Anwendungsbereiche

Schaltmodus-Netzteile

DC-DC-Konverter

Motor fährt

Beleuchtungssteuerung

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produkt, nicht kurz vor Abbruch

Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar

Hauptgründe zur Auswahl

Effiziente Leistungsbearbeitung

Kompakte Oberflächenmontagepaket

Geeignet für Hochfrequenzwechsel

Hohe Zuverlässigkeits- und Sicherheitsmerkmale

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS2DPFS20V.

Produkteigenschaften STS2DPFS20V STS30N3LLH6 STS26N3LLH6 STS2DNE60
Artikelnummer STS2DPFS20V STS30N3LLH6 STS26N3LLH6 STS2DNE60
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Verlustleistung (max) 2W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Ta) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VI DeepGATE™, STripFET™ VI -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 15 V 4040 pF @ 25 V 4040 pF @ 25 V -
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Grundproduktnummer STS2D STS30 STS26 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 4.5V 2.4mOhm @ 15A, 10V 4.4mOhm @ 13A, 10V -
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc) 30A (Tc) 26A (Tc) -

STS2DPFS20V Datenblatt PDF

Laden Sie STS2DPFS20V PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS2DPFS20V - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STS2DPFS20V.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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    2024/06/19

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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