- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
STS3DNE60L.pdfSTS3DNE60L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS3DNE60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS3DNE60L
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC | |
| Serie | STripFET™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Leistung - max | 2W | |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 815pF @ 25V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V | |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A | |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) | |
| Grundproduktnummer | STS3D |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS3DNE60L.
| Produkteigenschaften | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | STS3DNE60L | STS3DPF60L | STS3C2F100 | STS3621 |
| Hersteller | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | SAMHOP |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A | 3A | 3A | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 815pF @ 25V | 630pF @ 25V | 460pF @ 25V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1.5A, 10V | 120mOhm @ 1.5A, 10V | 145mOhm @ 1.5A, 10V | - |
| Befestigungsart | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V | 60V | 100V | - |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 2V @ 250µA | - |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| Grundproduktnummer | STS3D | STS3D | STS3C2 | - |
| Leistung - max | 2W | 2W | 2W | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V | 15.7nC @ 4.5V | 20nC @ 10V | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| Serie | STripFET™ | STripFET™ | STripFET™ | - |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
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STS3621SAMHOP
STS3DPFS45SR
STS3DPF20VVBSEMI
STS3P6F6 MOSSTMicroelectronics
STS3623SAMHOP
STS3C3F30LVBSEMI
STS3DPFS30STMicroelectronics
STS3DPF30LSTMicroelectronics
STS3921XM7BABASTMicroelectronicsBOOSTER FOR DUAL INTERFACE CHIP
STS39230L7BZZXSTMicroelectronics
STS3DPFS30DSTMicroelectronics
STS3622SAMHOP
STS3DPF20V.SR
STS35-DIS-BSensirion
STS35-DIS-B2.5KSSensirionIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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