Hersteller Teilnummer
STS9D8NH3ll
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Transistor -FET, MOSFET -Array
Produktfunktionen und Leistung
2 N-Kanal (Dual) MOSFET
30 V Abfluss zur Quellspannung (VDSS)
22mohm max RDS auf @ 4a, 10V
8a, 9a kontinuierlicher Abflussstrom (ID) @ 25 ° C
857PF MAX -Eingangskapazität (CISS) @ 25V
1V Max VGS (th) @ 250a
10nc Max Gate Ladung (QG) @ 4,5V
Produktvorteile
Logikpegel -Tor
ROHS3 -konform
Oberflächenmontageverpackung
Wichtige technische Parameter
MOSFET (Metaloxid) -Technologie
150 ° C maximal Betriebstemperatur (TJ)
2W Max Power
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
8-soic-Paket
Anwendungsbereiche
Geeignet für eine Vielzahl von elektronischen Schaltungen und Anwendungen, die eine hohe MOSFETs mit geringem Aufnahmebereich erfordern
Produktlebenszyklus
Aktuelle Produktion, keine bekannten Pläne für den Absetzen
Austausch- oder Upgrade -Optionen beim Hersteller erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Leistung, geringes MOSFET auf der Resistenz
Dual N-Kanalkonfiguration für effizientes Schaltungsdesign
Logic Level Gate für einfache Kontrolle
Oberflächenmontageverpackung für kompakte Integration
ROHS -Einhaltung der Umweltverantwortung
Unterstützt durch die Zuverlässigkeit und das technische Know -how der Stmicroelectronics
STS9313ALSI
STS9D8H3LLSTMicroelectronics