Hersteller Teilnummer
STTH8R06DIRG
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochgeschwindigkeits-Silizium-Epitaxialgleichrichterdiode
Geeignet für hochfrequente Schaltungsmodus-Netzteile und andere Leistungselektronikanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Schnelle Rückgewinnung Zeit von 45 ns
Niedriger Vorwärtsspannungsabfall von 2,9 V bei 8 a
Hohe Rückspannung von 600 V.
Hoher durchschnittlicher korrigierter Strom von 8 a
Produktvorteile
Hervorragende Hochfrequenzleistung
Hochleistungsdichte
Hohe Zuverlässigkeit
Wichtige technische Parameter
Reverse Leckagestrom: 30 a bei 600 V
Vorwärtsspannung: 2,9 V bei 8 a
Anschlusstemperatur: 175 ° C (max)
Reverse -Wiederherstellungszeit: 45 ns
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Isoliertes TO-220AC-Paket
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgungen
Leistungsfaktorkorrekturschaltungen
Motor fährt
Schweißausrüstung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Produktlebenszyklus
Dies ist ein aktives und weit verbreitetes Produkt ohne Absatzpläne.
Bei Bedarf sind Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Hochfrequenzleistung für die effiziente Stromumrechnung
Hohe Zuverlässigkeits- und Leistungsdichte
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 175 ° C
ROHS3-Konformität für umweltfreundliche Anwendungen
Kompatibilität mit einem breiten Spektrum an Strom -Elektronikdesigns
STTH8R04DIRGSTMicroelectronics
STTH8R04DI-HSTM