Hersteller Teilnummer
STU13005N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Single Bipolar Junction Transistor (BJT)
Produktfunktionen und Leistung
30W Strombewertung
400 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
3A -Sammlerstrombewertung
1ma Collector Cutoff -Strom
5V Collector-Emitter-Sättigungsspannung @ 3A-Kollektorstrom
10 minimales Gleichstromstromverstärkung @ 1A -Sammlerstrom
Produktvorteile
Robustes Design für Hochleistungsanwendungen
Hochspannungs- und Hochstromfähigkeit
Effiziente Leistungsbearbeitung
Wichtige technische Parameter
Transistortyp: NPN
Betriebstemperatur: 150 ° C (TJ)
Paket: to-251-3 (IPAK)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Durchläufungsmontage
Anwendungsbereiche
Hochleistungsschaltkreise
Verstärkerschaltungen
Netzteile
Motorkontrollen
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine bekannten Pläne für den Absetzen
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Robuste und zuverlässige Leistung
In der Lage, hohe Leistung und Spannung umzugehen
Effiziente Leistungsbehandlung für verschiedene Hochleistungsanwendungen
Leichte Integration mit Durchlöchermontage

