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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTU2NK100Z
STU2NK100Z Image
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STU2NK100Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STU2NK100Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STU2NK100Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
STx2NK100Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20517

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Anzahl

Spezifikation

STU2NK100Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STU2NK100Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STU2NK100Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 900mA, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 499 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.85A (Tc)  
Grundproduktnummer STU2NK100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STU2NK100Z.

Produkteigenschaften STU2NK100Z STU2LN60K3 STU2N95K5 STU2N105K5
Artikelnummer STU2NK100Z STU2LN60K3 STU2N95K5 STU2N105K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.85A (Tc) 2A (Tc) 2A (Tc) 1.5A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 600 V 950 V 1050 V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 900mA, 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 5Ohm @ 1A, 10V 8Ohm @ 750mA, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 499 pF @ 25 V 235 pF @ 50 V 105 pF @ 100 V 115 pF @ 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V 30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SuperMESH™ SuperMESH3™ SuperMESH5™ MDmesh™ K5
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc) 60W (Tc)
Grundproduktnummer STU2NK100 STU2LN60 STU2N95 STU2N105
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V

STU2NK100Z Datenblatt PDF

Laden Sie STU2NK100Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STU2NK100Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STx2NK100Z.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 22/Nov/2022.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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