Hersteller Teilnummer
STU5N95K5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannung mit Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet
Geeignet für verschiedene Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Drain-to-Source-Spannung (VDSS) bis zu 950 V
On-Resistenz (RDS (ON)) von nur 2,5 Ω
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bis zu 3,5a
Schnelles Schalten und Ladung mit niedriger Gate
Robuste Lawinenfähigkeit
Stabile elektrische Parameter über den Temperaturbereich
Produktvorteile
Ausgezeichnete Effizienz der Energieumwandlung
Hochspannung standhalten Fähigkeit
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
RDS (ON): 2,5 Ω @ 1,5A, 10 V
ID: 3.5a (TC)
VDS: 950 V
VGS (max): ± 30 V
Betriebstemperatur: -55 ° C bis 150 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässige Durchleitungsmontage
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen mit Hochspannungsstromelektronik
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Beleuchtungsballasts
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrie- und medizinische Geräte
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und erhältlich
Austausch oder Upgrades können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungsfähigkeit bis zu 950 V
Hervorragende Effizienz mit geringem Auftragsresistenz
Robustes Design mit hoher Zuverlässigkeit und Stabilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungs-Hochspannungsanwendungen
ROHS3 Compliance für die Umweltsicherheit
STU5025NLSSAMHOP
STU5N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK