Hersteller Teilnummer
STU6N95K5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannung, N-Kanal-Supermesh5-MOSFET mit 950-V-Drain-Source-Spannung und geringem Auffall.
Produktfunktionen und Leistung
950 V Drain-Source-Spannung
Niedrige On-Resistenz von 1,25 Ω @ 3a, 10 V
Robuste Lawinenfähigkeit
Schnelle Schaltleistung
Hochstromabwicklungsfähigkeit von 9A kontinuierlich Abflussstrom
Produktvorteile
Ausgezeichnete Leistungseffizienz
Hohe Zuverlässigkeit
Kompaktes und platzsparendes Design
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 950 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 1,25 Ω @ 3a, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 9A
Eingangskapazität (CISS): 450pf @ 100V
Leistungsdissipation (TC): 90W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Für hochverträgliche Anwendungen entwickelt
Kompatibilität
Durchläufungsmontage (bis-251-3-Paket)
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Industrieausrüstung
Kfz -Elektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und weit verbreitet.
Austausch oder Upgrades können in Zukunft verfügbar werden, wenn sich die Technologie weiterentwickelt.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Energieeffizienz und Zuverlässigkeit
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten
Kompaktes und platzsparendes Design
Robuste Lawinenfunktion für zusätzliche Sicherheit
Schnelle Schaltleistung für Hochgeschwindigkeitsanwendungen

STU666SSAMHOP