Hersteller Teilnummer
STU9HN65M2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Hochspannungsanwendungen mit Hochleistungsschaltanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
650 V Drain-Source-Spannung
5a kontinuierlicher Abflussstrom
820 mΩ On-Resistenz
325PF -Eingangskapazität
5nc Gate -Gebühr
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Hervorragende Schaltleistung
Hochleistungsdichte
Robustes Design
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 820 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 5,5a
Eingangskapazität (CISS): 325PF
Gate Ladung (QG): 11,5 NC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässiges und robustes Design
Kompatibilität
Geeignet für Hochspannungsanwendungen mit Hochleistungsschaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Aktives Produkt
Ersatz und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Schaltleistung für Hochspannungsanwendungen mit hoher Spannung und Hochleistungsanwendungen
Robustes Design mit weitem Betriebstemperaturbereich
Hochleistungsdichte für kompakte Systemdesigns
ROHS3 Compliance für ökologische Nachhaltigkeit

STU9878C
STUDIO-30670-EVBTDK InvenSenseEVAL BOARD FOR ICM-30670