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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW11NK100Z
STW11NK100Z Image
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STW11NK100Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW11NK100Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW11NK100Z
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
1.STW11NK100Z.pdf ...

Datenblätter

STW11NK100Z.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
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Spezifikation

STW11NK100Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW11NK100Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW11NK100Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38Ohm @ 4.15A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 162 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.3A (Tc)  
Grundproduktnummer STW11  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STW11NK100Z

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor

Produktfunktionen und Leistung

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C

Hochdrainer-zu-Source-Spannung von 1000 V

Niedrige On-Resistenz (RDS (ON)) von 1,38 Ω @ 4,15A, 10 V

Hoher kontinuierlicher Abflussstrom von 8,3a bei 25 ° C

Niedrige Eingangskapazität (CISS) von 3500PF @ 25V

Hochleistungsdissipation von 230W @ TC

Produktvorteile

Ausgezeichnete Leistungsfähigkeitsfunktionen

Hochspannung und Strom standardmäßig

Niedrige Leitungsverluste

Geeignet für Hochleistungsanwendungen

Wichtige technische Parameter

N-Kanal-MOSFET-Technologie

Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V

Schwellenspannung (VGS (TH)): 4,5 V @ 100A

Gate Ladung (QG): 162NC @ 10V

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

TO-247-3-Paket für zuverlässige thermische Verwaltung

Kompatibilität

Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen, darunter Motorfahrten, Netzteile und industrielle Elektronik

Anwendungsbereiche

Industrieausrüstung

Leistungselektronik

Motorkontrolle

Wechselrichter und Konverter

Produktlebenszyklus

Aktives Produkt, keine Pläne zum Absetzen

Ersatzteile und Upgrades verfügbar

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hervorragende Leistung und Leistungshandhabung

Hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer

Kostengünstige Lösung für Hochleistungsanwendungen

Kompatibilität mit einer Vielzahl von Systemen und Geräten

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW11NK100Z.

Produkteigenschaften STW11NK100Z 12102U680GAT2A
Artikelnummer STW11NK100Z 12102U680GAT2A
Hersteller STMicroelectronics KYOCERA AVX
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.3A (Tc) -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 1210 (3225 Metric)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V -
Paket Tube Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 125°C
Vgs (Max) ±30V -
Grundproduktnummer STW11 -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount, MLCC
Serie SuperMESH™ U
Verlustleistung (max) 230W (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 162 nC @ 10 V -
Typ FET N-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V -
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38Ohm @ 4.15A, 10V -
FET-Merkmal - -

STW11NK100Z Datenblatt PDF

Laden Sie STW11NK100Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW11NK100Z - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STW11NK100Z.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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  • Lea ***
    2024/06/19

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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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