Hersteller Teilnummer
STW21N90K5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Überlegene Hochspannung, Hochleistungsleistung
Niedrige On-Resistenz für eine verbesserte Effizienz
Hohe Lawinenenergiefähigkeiten
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Produktvorteile
Ausgezeichnete Leistungsdichte und Effizienz
Zuverlässige Leistung in Hochspannungsanwendungen mit Hochleistungsanwendungen
Geeignet für eine Vielzahl von Stromumrechnungs- und Steuerungssystemen
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 900 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 299mΩ @ 9A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 18,5a (bei 25 ° C)
Eingangskapazität (CISS): 1645PF @ 100V
Leistungsdissipation (TC): 250W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Für einen zuverlässigen und sicheren Betrieb ausgelegt
Kompatibilität
To-247-3 Paket
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromumrechnungs- und Steuerungssysteme
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrie- und Haushaltsgeräte
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, keine sofortige Absetzung geplant
Austausch und Upgrades können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Hochspannung und Hochleistungsleistung
Effizienter und zuverlässiger Betrieb
Robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungselektroniksystemen
Einhaltung der ROHS3 -Vorschriften für Umweltfreundlichkeit
STW220NF55STMicroelectronics