Hersteller Teilnummer
STW43NM60N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
600 -V -Bruchspannung
88mΩ Maximale On-Resistenz
35A kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
4200PF Maximale Eingangskapazität
255W maximale Leistung Dissipation
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Zuverlässiger Betrieb in harten Umgebungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 88 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 35a
Eingangskapazität (CISS): 4200PF
Leistungsdissipation (PTOT): 255W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Für hohe Zuverlässigkeit und Sicherheit entwickelt
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Stromumrechnungs- und Motorsteuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Industrielle Elektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell, keine Pläne für den Absetzen
Leicht verfügbare Ersatzoptionen von STMICROELECTRONICS
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichneter Stromverhandlung und Effizienz
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb in harten Umgebungen
Breites Angebot an Anwendungen und Kompatibilität
Unterstützt durch die Qualität und Unterstützung von stmicroelectronics
