Hersteller Teilnummer
STW48NM60N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Der STW48NM60N ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMICROELECTRONICS, der für verschiedene Leistungsumwandlungs- und Kontrollanwendungen ausgelegt ist.
Produktfunktionen und Leistung
600 V Drain-to-Source-Spannung
Niedrige On-Resistenz von 70 mΩ @ 20a, 10 V
Hochstromabwicklungsfähigkeit von 44A kontinuierlicher Abflussströmung
Schnelle Schaltfunktionen mit niedriger Eingangskapazität von 4285PF
Hochleistungsdissipation von 330 W
Produktvorteile
Ausgezeichnete Leistungseffizienz aufgrund von geringer Aufteilung
Zuverlässiger Hochspannungsbetrieb
Hochstrom- und Leistungshandhabungsfähigkeit
Geeignet für Hochfrequenzschaltanwendungen
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 70 mΩ @ 20A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 44a
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-247-3-Paket für eine effiziente Wärmeableitung
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, keine Abbruchpläne
Austausch und Upgrades im MOSFET -Portfolio von STMICROELECTRONICS erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Effizienz und niedrige Leistungsverluste aufgrund von geringer Aufteilung
Zuverlässiger Hochspannungsbetrieb für verschiedene Anwendungen
Ausgezeichnete Strom- und Leistungshandhabungsfähigkeiten
Geeignet für Hochfrequenzwechseldesigns
Robustes und thermisch effizientes bis-247-3-Paket
