Hersteller Teilnummer
STW50NB20
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Hochspannung (200 V) Fähigkeit
Niedrige On-Resistenz (55 mΩ)
Hochstrombewertung (50A)
Hochleistungsdissipation (280 W)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Produktvorteile
Hervorragende Effizienz und thermische Leistung
Zuverlässiges und robustes Design
Optimiert für Hochleistungsschalter, Hochfrequenzwechsel
Unterstützt die anspruchsvollen Anwendungen der Stromerektronik
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDS): 200 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 55m Ω
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 50a
Eingangskapazität (CISS): 3400PF
Leistungsdissipation (PD): 280W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS nicht konform
To-247-3 Paket
Geeignet für den Hochtemperaturbetrieb (150 ° C)
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen Leistungselektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Umwandlung für Industriekraft
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist ein etabliertes und weit verbreitetes Leistungsmosfet.Austausch und Upgrades können bei STMICROELECTRONICS oder anderen Herstellern erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromfähigkeiten
Hervorragende Effizienz und thermische Leistung
Zuverlässiges und robustes Design
Optimiert für Hochleistungsschalter, Hochfrequenzwechsel
Umfangreiche Anwendungsunterstützung und Kompatibilität
STW55NE10STMicroelectronics
STW5098BBLTBGA