Hersteller Teilnummer
STW70N65M2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet mit hohem Spannung
Produktfunktionen und Leistung
Hochspannung mit bis zu 650 V
Niedrige On-Resistenz bis 46 mΩ
Hochabflussstromfähigkeit bis zu 63A
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geeignet für verschiedene Hochleistungsanwendungen
Produktvorteile
Überlegene Energieeffizienz
Zuverlässiges und robustes Design
Unterstützt Hochspannungs- und Hochstrombetrieb
Optimal für Hochfrequenzwechsel
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS (max)): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 46 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 63a
Eingangskapazität (CISS): 5140PF
Leistungsdissipation (PTOT): 446W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS-COMPLISH
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Überstrom- und Überspannungsschutz
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen, einschließlich:
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrieautomatisierung
Anwendungsbereiche
Umwandlung und Kontrolle mit hoher Spannung, Hochstromkraft
Industrielle Elektronik
Erneuerbare Energiesysteme
Kfz -Elektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in aktiver Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen.Austausch- oder Upgrade -Optionen sind verfügbar.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Außergewöhnliche Leistungsfähigkeitsfunktionen
Branchenführende Vorwiderstandswiedergabe für eine verbesserte Effizienz
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Optimiert für Hochfrequenzwechsel
Umfassende Schutzmerkmale für einen sicheren Betrieb
Verfügbarkeit von Ersatz- und Upgrade -Optionen
