Hersteller Teilnummer
STWA48N60DM2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-MOSFET-Transistor mit Hochleistungsstrom-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
N-Kanal-MOSFET mit hoher Blockierungsspannungsfähigkeit von 600 V
Optimiert für hohe Effizienz- und Hochfrequenzleistungsumwandlungen
Hervorragende Widerstand im Stadium und schnelle Schalteigenschaften
Verlängerter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringer Leitung und Schaltverlusten
Zuverlässige Leistung in der anspruchsvollen industriellen und Automobilumgebung
Kompaktes und leicht integriertes Paketdesign
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
Widerstand auf dem Zustand (RDS (ON)): 79mΩ @ 20a, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 40a (bei TC = 25 ° C)
Eingangskapazität (CISS): 3250pf @ 100V
Leistungsdissipation (PD): 300 W (bei TC = 25 ° C)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Kompatibilität
Durchlöschung im bis-247-3-Paket
Anwendungsbereiche
Hochleistungs-Industrieanwendungen (z. B. Motorfahrten, Netzteile, Schweißgeräte)
Automobilleistungselektronik (z. B. Wechselrichter für Hybrid/Elektrofahrzeuge, DC-DC-Konverter)
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und weit verbreitet
Austausch- oder Upgrade -Optionen können bei STMICROELECTRONICS oder anderen Herstellern erhältlich sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Effizienz und Schaltleistung für ausgezeichnete Leistungsumwandlung
Zuverlässiger Betrieb in harten industriellen und Automobilumgebungen
Kompaktes und leicht integriertes Paketdesign
Nachgewiesene Erfolgsbilanz und technische Support von STMICROELECTRONICS
STWA45N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 35A TO247
STWA57N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 42A TO247