Spezifikation
RN4981,LF(CT Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN4981,LF(CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN4981,LF(CT
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
50V |
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| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
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| Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
US6 |
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| Serie |
- |
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| Widerstand - Emitterbasis (R2) |
4.7 kOhms |
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| Widerstand - Basis (R1) |
4.7 kOhms |
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| Leistung - max |
200mW |
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| Verpackung |
Cut Tape (CT) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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| Andere Namen |
RN4981(T5LFT)CT
RN4981(T5LFT)CT-ND
RN4981LF(CTCT |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) |
1 (Unlimited) |
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| Bleifreier Status / RoHS-Status |
Lead free / RoHS Compliant |
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| Frequenz - Übergang |
250MHz, 200MHz |
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| detaillierte Beschreibung |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
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| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE |
30 @ 10mA, 5V |
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| Strom - Collector Cutoff (Max) |
100µA (ICBO) |
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| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
100mA |
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RN4981,LF(CT Datenblatt PDF
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
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