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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelUH3C-E3/57T
UH3C-E3/57T Image
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UH3C-E3/57T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
UH3C-E3/57T
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-UH3C-E3/57T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-214AB, SMC
Datenblatt
UH3B, UH3C & UH3D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4100

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Spezifikation

UH3C-E3/57T Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UH3C-E3/57T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UH3C-E3/57T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.05 V @ 3 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse DO-214AB (SMC)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 40 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-214AB, SMC  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 150 V  
Strom - Richt (Io) 3A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer UH3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH3C-E3/57T.

Produkteigenschaften UH3C-E3/57T 1N5060TR 1N5819HW-7 1N2063R
Artikelnummer UH3C-E3/57T 1N5060TR 1N5819HW-7 1N2063R
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Microchip Technology
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Stud Mount
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150 V 400 V 40 V 500 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Verpackung / Gehäuse DO-214AB, SMC SOD-57, Axial SOD-123 DO-205AB, DO-9, Stud
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 150 V 1 µA @ 400 V 1 mA @ 40 V 75 µA @ 500 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.05 V @ 3 A 1.15 V @ 2.5 A 450 mV @ 1 A 1.3 V @ 300 A
Kapazität @ Vr, F - 40pF @ 0V, 1MHz 60pF @ 4V, 1MHz -
Serie - - - -
Strom - Richt (Io) 3A 2A 1A 275A
Grundproduktnummer UH3 1N5060 1N5819 -
Supplier Device-Gehäuse DO-214AB (SMC) SOD-57 SOD-123 DO-205AB (DO-9)
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 40 ns 4 µs - -
Technologie Standard Avalanche Schottky Standard, Reverse Polarity
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -65°C ~ 125°C -65°C ~ 190°C

UH3C-E3/57T Datenblatt PDF

Laden Sie UH3C-E3/57T PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für UH3C-E3/57T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
UHYYYY 05/Dec/2017.pdf
Datenblätter
UH3B, UH3C & UH3D.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-UH3C-E3/57T

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