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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFIB5N65A
IRFIB5N65A Image
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IRFIB5N65A - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFIB5N65A
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFIB5N65A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A.pdf
vorrätig: 4100

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Spezifikation

IRFIB5N65A Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFIB5N65A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFIB5N65A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930mOhm @ 3.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1417 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.1A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFIB5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFIB5N65A.

Produkteigenschaften IRFIB5N65A IRFI9Z34G IRFIB41N15DPBF IRFIB5N65APBF
Artikelnummer IRFIB5N65A IRFI9Z34G IRFIB41N15DPBF IRFIB5N65APBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1417 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 2520 pF @ 25 V 1417 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Serie - - HEXFET® -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930mOhm @ 3.1A, 10V 140mOhm @ 7.2A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V 930mOhm @ 3.1A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 60 V 150 V 650 V
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 42W (Tc) 48W (Tc) 60W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.1A (Tc) 12A (Tc) 41A (Tc) 5.1A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IRFIB5 IRFI9 - IRFIB5
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220-3

IRFIB5N65A Datenblatt PDF

Laden Sie IRFIB5N65A PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFIB5N65A - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFIB5N65A

Vishay Siliconix
32D-IRFIB5N65A

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