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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR024TRPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFR024TRPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFR024TRPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR024TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR024, IRFU024, SiHFR024, SiHFU024.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52000

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Spezifikation

IRFR024TRPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFR024TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFR024TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFR024TRPBF.

Produkteigenschaften IRFR024TRPBF IRFR024TRLPBF IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRPBF
Artikelnummer IRFR024TRPBF IRFR024TRLPBF IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak PG-TO252-3 D-Pak
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 75mOhm @ 10A, 10V 75mOhm @ 10A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 55 V 55 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 14A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
Grundproduktnummer IRFR024 IRFR024 IRFR024 IRFR024
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IRFR024TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR024TRPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFR024TRPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf
Datenblätter
IRFR024, IRFU024, SiHFR024, SiHFU024.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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