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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ24STRR
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLZ24STRR - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLZ24STRR
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ24STRR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRLZ24S(L),SiHLZ24S(L) ~.pdf
vorrätig: 3650

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Spezifikation

IRLZ24STRR Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLZ24STRR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLZ24STRR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLZ24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLZ24STRR.

Produkteigenschaften IRLZ24STRR IRLZ24SPBF IRLZ34 IRLZ34NL
Artikelnummer IRLZ24STRR IRLZ24SPBF IRLZ34 IRLZ34NL
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 5V 100mOhm @ 10A, 5V 50mOhm @ 18A, 5V 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±16V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 88W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRLZ24 IRLZ24 IRLZ34 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 55 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Serie - - - HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-262

IRLZ24STRR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLZ24STRR PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLZ24STRR - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRLZ24S(L),SiHLZ24S(L) ~.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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