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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI1300BDL-T1-E3
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SI1300BDL-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1300BDL-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1300BDL-T1-E3
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3
Verpackung
SC-70-3
Datenblatt
1.SI1300BDL-T1-E3.pdf ...

Datenblätter

SI1300BDL.pdf

Umweltinformationen

Material Compliance.pdf

PCN -Obsoleszenz/ EOL

PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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vorrätig: 4920

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Spezifikation

SI1300BDL-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1300BDL-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1300BDL-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 250mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 190mW (Ta), 200mW (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 35 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.84 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA (Tc)  
Grundproduktnummer SI1300  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

SI1300BDL-T1-E3

Hersteller

Vishay / Siliconix

Einführung

N-Kanal-MOSFET-Transistor

Produktfunktionen und Leistung

20 V Abfluss zur Quellspannung

850 mΩ Maximal On-Resistenz

400 mA kontinuierlicher Abflussstrom

Niedrige Eingangskapazität von 35PF

190 MW maximale Leistung Dissipation

Produktvorteile

Geeignet für Anwendungen mit geringer Leistung und hoher Effizienz

Niedrige On-Resistenz für eine verbesserte Energieeffizienz

Kompaktes SC-70-Oberflächenmontagepaket

Wichtige technische Parameter

Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 20V

Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ± 8 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 850 mΩ @ 250 mA, 4,5 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 400 mA

Eingangskapazität (CISS): 35PF @ 10V

Leistungsdissipation (max): 190 MW (TA), 200 MW (TC)

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Industrieemperaturbereich: -55 ° C bis 150 ° C

Kompatibilität

Geeignet für eine Vielzahl von elektronischen Anwendungen mit geringer Leistung

Anwendungsbereiche

Stromversorgungsversorgung

DC-DC-Konverter

Verstärker

Motor fährt

Allgemeine Umstellung

Produktlebenszyklus

Das aktuelle Produkt, keine Abbruch- oder Ersatzpläne zu diesem Zeitpunkt

Hauptgründe zur Auswahl

Ausgezeichnete On-Resistenz- und Stromverarbeitung für einen effizienten Betrieb

Kompakte und vielseitige SC-70-Oberflächenmontagepaket

Zuverlässige Leistung über breite Temperaturbereiche

ROHS3-Konformität für umweltfreundliche Anwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1300BDL-T1-E3.

Produkteigenschaften SI1300BDL-T1-E3 SI1302DL-T1-E3 SI1302DL-T1-BE3 SI1300BDL-T1-GE3
Artikelnummer SI1300BDL-T1-E3 SI1302DL-T1-E3 SI1302DL-T1-BE3 SI1300BDL-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±8V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 190mW (Ta), 200mW (Tc) 280mW (Ta) 280mW (Ta) 190mW (Ta), 200mW (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie TrenchFET® TrenchFET® - TrenchFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA (Tc) 600mA (Ta) 600mA (Ta) 400mA (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 35 pF @ 10 V - - 35 pF @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer SI1300 SI1302 SI1302 SI1300
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 250mA, 4.5V 480mOhm @ 600mA, 10V 480mOhm @ 600mA, 10V 850mOhm @ 250mA, 4.5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V - 2.5V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.84 nC @ 4.5 V 1.4 nC @ 10 V 1.4 nC @ 10 V 0.84 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3

SI1300BDL-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1300BDL-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1300BDL-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SI1300BDL.pdf
Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
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    2026/04/3

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  • Daic***K.
    2026/03/23

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  • Kevi***.
    2026/03/17

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  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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