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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI4004DY-T1-GE3
SI4004DY-T1-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI4004DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4004DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4004DY-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4004DY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3700

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Anzahl

Spezifikation

SI4004DY-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4004DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4004DY-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer SI4004  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4004DY-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI4004DY-T1-GE3 SI4010DY-T1-GE3 SI4022-A0-FTR SI4010C2GTR
Artikelnummer SI4004DY-T1-GE3 SI4010DY-T1-GE3 SI4022-A0-FTR SI4010C2GTR
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Silicon Labs Silicon Power
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V 3.4mOhm @ 15A, 10V - -
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 10 V 3595 pF @ 15 V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 16-TSSOP -
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 31.3A (Tc) - -
Grundproduktnummer SI4004 SI4010 SI4022 -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA - -
Serie - TrenchFET® - -

SI4004DY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4004DY-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4004DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Datenblätter
SI4004DY.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4004DY-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI4004DY-T1-GE3

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