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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI4459ADY-T1-GE3
SI4459ADY-T1-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI4459ADY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4459ADY-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4459ADY-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4459ADY-T1-GE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38460

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Anzahl

Spezifikation

SI4459ADY-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4459ADY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4459ADY-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)  
Grundproduktnummer SI4459  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4459ADY-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI4459ADY-T1-GE3 SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-GE3 SI4456DY-T1-GE3
Artikelnummer SI4459ADY-T1-GE3 SI4455DY-T1-E3 SI4455DY-T1-GE3 SI4456DY-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 150 V 150 V 40 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer SI4459 SI4455 SI4455 SI4456
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) 2.8A (Tc) 2A (Ta) 33A (Tc)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 15 V 1190 pF @ 50 V 1190 pF @ 50 V 5670 pF @ 20 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 15A, 10V 295mOhm @ 4A, 10V 295mOhm @ 4A, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 122 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) 5.9W (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

SI4459ADY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4459ADY-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4459ADY-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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