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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7107DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7107DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7107DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7107DN-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® 1212-8
Datenblatt
Si7107DN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4780

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Anzahl

Spezifikation

SI7107DN-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7107DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7107DN-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 450µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.8A (Ta)  
Grundproduktnummer SI7107  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7107DN-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI7107DN-T1-GE3 SI7106DN-T1-E3 SI7108DN-T1-E3 SI7110DN-T1-GE3
Artikelnummer SI7107DN-T1-GE3 SI7106DN-T1-E3 SI7108DN-T1-E3 SI7110DN-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±12V ±16V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V 30 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Grundproduktnummer SI7107 SI7106 SI7108 SI7110
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.8A (Ta) 12.5A (Ta) 14A (Ta) 13.5A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 450µA 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V 4.9mOhm @ 22A, 10V 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®

SI7107DN-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7107DN-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7107DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Datenblätter
Si7107DN.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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