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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI7214DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7214DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7214DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7214DN-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® 1212-8 Dual
Datenblatt
SI7214DN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5100

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Anzahl

Spezifikation

SI7214DN-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7214DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7214DN-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6.4A, 10V  
Leistung - max 1.3W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI7214  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7214DN-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI7214DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 SI7220DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3
Artikelnummer SI7214DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 SI7220DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 670pF @ 20V - 670pF @ 20V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer SI7214 SI7216 SI7220 SI7216
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6.4A, 10V 32mOhm @ 5A, 10V 60mOhm @ 4.8A, 10V 32mOhm @ 5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 40V 60V 40V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 1.3W 20.8W 1.3W 20.8W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A 6A 3.4A 6A
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V 19nC @ 10V 20nC @ 10V 19nC @ 10V

SI7214DN-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7214DN-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7214DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Datenblätter
SI7214DN.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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