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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI8429DB-T1-E1
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SI8429DB-T1-E1 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI8429DB-T1-E1
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI8429DB-T1-E1
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Verpackung
4-Microfoot
Datenblatt
1.SI8429DB-T1-E1.pdf ...

Datenblätter

SI8429DB.pdf

Umweltinformationen

Material Compliance.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

SI8429DB-T1-E1 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI8429DB-T1-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI8429DB-T1-E1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±5V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-Microfoot  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 4-XFBGA, CSPBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 4 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.7A (Tc)  
Grundproduktnummer SI8429  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

SI8429DB-T1-E1

Hersteller

Vishay / Siliconix

Einführung

Das SI8429DB-T1-E1 ist ein diskretes Halbleiterprodukt, insbesondere ein P-Kanal-MOSFET-Transistor.Es ist Teil der Trenchfet-Serie von Vishay und in einem 4-XFBGA, CSPBGA-Paket.

Produktfunktionen und Leistung

8V Abflussspannung (VDSS)

± 5 V Gate-to-Source-Spannung (VGS)

35 mΩ On-Resistenz (RDS (ON)) bei 1A, 4,5 V.

7a kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bei 25 ° C

1640PF -Eingangskapazität (CISS) bei 4 V

26nc Gate Ladung (QG) bei 5 V

77W Leistungsabteilung bei 25 ° C

-55 ° C bis 150 ° C Betriebstemperaturbereich

Produktvorteile

Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromschaltungen

Hochstromabrechnungsfähigkeit

Kleine 4-Microfoot-Paket für kompakte Designs

Geeignet für eine Vielzahl von Betriebstemperaturen

Wichtige technische Parameter

MOSFET -Technologie

P-Kanal-FET-Typ

800 mV Gate -Schwellenspannung (VGS (TH)) bei 250 μA

2 V bis 4,5 V Antriebsspannungsbereich

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Klebeband und Rollenverpackung

Kompatibilität

Oberflächenhalterungstyp

Anwendungsbereiche

Leistungsmanagement

Schaltkreise umschalten

Verstärker

Motorkontrolle

Industrie- und Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produkt

Austausch und Upgrades können verfügbar sein

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Ausgezeichnetes Verhältnis von Leistung zu Größe

Effiziente Leistungsschaltfunktionen

Breiter Betriebstemperaturbereich

Kompaktes 4-Microfoot-Paket

ROHS -Einhaltung der Umweltverantwortung

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1.

Produkteigenschaften SI8429DB-T1-E1 08055E333MAT2A
Artikelnummer SI8429DB-T1-E1 08055E333MAT2A
Hersteller Vishay Siliconix KYOCERA AVX
Vgs (Max) ±5V -
Verpackung / Gehäuse 4-XFBGA, CSPBGA 0805 (2012 Metric)
Supplier Device-Gehäuse 4-Microfoot -
Verlustleistung (max) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V -
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 10°C ~ 85°C
Grundproduktnummer SI8429 -
Typ FET P-Channel -
FET-Merkmal - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 5 V -
Serie TrenchFET® -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, MLCC
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 1A, 4.5V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 4 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.7A (Tc) -

SI8429DB-T1-E1 Datenblatt PDF

Laden Sie SI8429DB-T1-E1 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI8429DB-T1-E1 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SI8429DB.pdf
Umweltinformationen
Material Compliance.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

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    2024/06/19

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Europa Deutschland 5
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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