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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIE848DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIE848DF-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIE848DF-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIE848DF-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
10-PolarPAK® (L)
Datenblatt
SIE848DF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5130

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Anzahl

Spezifikation

SIE848DF-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIE848DF-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIE848DF-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 10-PolarPAK® (L)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 10-PolarPAK® (L)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer SIE848  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIE848DF-T1-GE3.

Produkteigenschaften SIE848DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE810DF-T1-GE3 SIE862DF-T1-GE3
Artikelnummer SIE848DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE810DF-T1-GE3 SIE862DF-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 50A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 15 V 6100 pF @ 15 V 13000 pF @ 10 V 3100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (U)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V 1.4mOhm @ 25A, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (U)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Grundproduktnummer SIE848 SIE848 SIE810 SIE862

SIE848DF-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIE848DF-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIE848DF-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Datenblätter
SIE848DF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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