- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.402 | $0.40 |
SIZ320DT-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIZ320DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIZ320DT-T1-GE3
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-Power33 (3x3) | |
| Serie | PowerPAIR®, TrenchFET® | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V | |
| Leistung - max | 16.7W, 31W | |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V | |
| FET-Merkmal | - | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc), 40A (Tc) | |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) | |
| Grundproduktnummer | SIZ320 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIZ320DT-T1-GE3.
| Produkteigenschaften | ||||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | SIZ200DT-T1-GE3 | SIZ240DT-T1-GE3 | SIZ322DT-T1-GE3 | SIZ250DT-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Grundproduktnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Leistung - max | - | - | - | - |
| Konfiguration | - | - | - | S/H-ADC |
| Technologie | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
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SIZ340BDT-T1-GE3Vishay
SIZ-011KJTMinebeaMitsumi
SIZ340DTElectro-Films (EFI) / Vishay
SIZ340DT-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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