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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUM110N10-09-E3
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EXPRESSOPTION
Zahlungsmethode

SUM110N10-09-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUM110N10-09-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUM110N10-09-E3
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Verpackung
TO-263 (D²Pak)
Datenblatt
1.SUM110N10-09-E3.pdf ...

Datenblätter

SUM110N10-09.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Assembly Site Add 9/Jun/2016.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 14560

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Spezifikation

SUM110N10-09-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUM110N10-09-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUM110N10-09-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)  
Grundproduktnummer SUM110  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

SUM110N10-09-E3

Hersteller

Vishay / Siliconix

Einführung

Hochleistungs-N-Channel-Verbesserungsmodus-Grabenfrucht-LeistungsmOSFET für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Kontrollanwendungen geeignet.

Produktfunktionen und Leistung

Grabenmosfet-Technologie für niedrige Aufnahmebereich und Hochleistungsdichte

Hohe Abflussstromfähigkeit bis zu 110a bei 25 ° C Falltemperatur

Niedrige On-Resistenz auf 9,5 mΩ

Hohe Blockierungsspannung bis zu 100 V

Breiter Betriebstemperaturbereich reichen von -55 ° C bis 175 ° C.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Niedrige Gate -Ladung für eine effiziente Kontrolle

Produktvorteile

Ausgezeichnetes Verhältnis von Leistung zu Kosten

Hochleistungsdichte und Effizienz

Zuverlässiges und robustes Design

Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen

Wichtige technische Parameter

Drain-Source-Spannung (VDSS): 100 V

Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 9,5 mΩ @ 30a, 10 V

Abflussstrom (ID): 110a bei 25 ° C Falltemperatur

Eingangskapazität (CISS): 6700PF @ 25V

Leistungsdissipation (PD): 3,75W @ 25 ° C Umgebung, 375W @ 25 ° C Fall

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Zuverlässiges und langlebiges Design

Kompatibilität

Geeignet für verschiedene Stromumrechnungs- und Steuerungsanwendungen wie Motorantriebe, Netzteile und Stromverstärker.

Anwendungsbereiche

Leistungskonvertierung und Steuerungsanwendungen

Motor fährt

Netzteile

Machtverstärker

Produktlebenszyklus

Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und weit verbreitet.

Vishay aktualisiert und verbessert regelmäßig sein Trenchfet -Portfolio, sodass neuere oder fortgeschrittenere Versionen in Zukunft verfügbar sein können.

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hochleistungsdichte und Effizienz

Ausgezeichnetes Verhältnis von Leistung zu Kosten

Zuverlässiges und robustes Design

Breiter Betriebstemperaturbereich

Geeignet für eine Vielzahl von Stromumrechnungs- und Steuerungsanwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUM110N10-09-E3.

Produkteigenschaften SUM110N10-09-E3 SUM110P04-04L-E3 SUM110P04-05-E3 SUM110N08-07P-E3
Artikelnummer SUM110N10-09-E3 SUM110P04-04L-E3 SUM110P04-05-E3 SUM110N08-07P-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 40 V 75 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Grundproduktnummer SUM110 SUM110 SUM110 SUM110
FET-Merkmal - - - -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 15W (Ta), 375W (Tc) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 30A, 10V 4.2mOhm @ 30A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6700 pF @ 25 V 11200 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 4250 pF @ 30 V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SUM110N10-09-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUM110N10-09-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUM110N10-09-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SUM110N10-09.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Add 9/Jun/2016.pdf

Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Asien Indien 4
Japan 4
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