- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
2SK2463.pdfPCN -Design/Spezifikation
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdf2SK2463T100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - 2SK2463T100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - 2SK2463T100
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | LAPIS Technology | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | MPT3 | |
| Serie | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 1A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 500mW (Ta) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-243AA | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) | |
| Grundproduktnummer | 2SK2463 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor 2SK2463T100.
| Produkteigenschaften | ![]() |
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![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | 2SK2463T100 | 2SK2461-AZ | 2SK2462(04)-AZ | 2SK2475 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | Renesas | Renesas Electronics America Inc | XDY |
| Supplier Device-Gehäuse | MPT3 | ITO-220AB | - | - |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-243AA | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | 2V @ 1mA | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 10 V | 1400 pF @ 10 V | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | 100 V | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±20V | ±20V | - | - |
| Typ FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| Grundproduktnummer | 2SK2463 | - | - | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | 150°C | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 1A, 10V | 80mOhm @ 10A, 10V | - | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Serie | - | - | * | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | 4V, 10V | - | - |
| Befestigungsart | Surface Mount | Through Hole | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) | 20A (Ta) | - | - |
| Verlustleistung (max) | 500mW (Ta) | 2W (Ta), 35W (Tc) | - | - |
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2SK2475XDY
2SK2461NEC
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2SK2462NEC
2SK2477NEC
2SK2461-AZRenesas2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF
2SK2462(04)-AZRenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2473FUJIIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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