- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.424 | $5.42 |
| 200+ | $2.165 | $433.00 |
| 500+ | $2.093 | $1,046.50 |
| 1000+ | $2.056 | $2,056.00 |
2SK2461-AZ Tech -Spezifikationen
Renesas - 2SK2461-AZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas - 2SK2461-AZ
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | ITO-220AB | |
| Serie | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 10A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta), 35W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 10 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | RoHS nicht konform |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas 2SK2461-AZ.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | 2SK2461-AZ | 2SK2462(04)-AZ | 2SK2463T100 | 2SK246-GR |
| Hersteller | Renesas | Renesas Electronics America Inc | Rohm Semiconductor | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 10A, 10V | - | 380mOhm @ 1A, 10V | - |
| Paket | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C | - | 150°C (TJ) | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) | - | 2A (Ta) | - |
| Serie | - | * | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | ITO-220AB | - | MPT3 | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 10 V | - | 200 pF @ 10 V | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | - | 2.5V @ 1mA | - |
| Typ FET | N-Channel | - | N-Channel | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | - | TO-243AA | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | - | 4V, 10V | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta), 35W (Tc) | - | 500mW (Ta) | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - | ±20V | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | - | - | - |
| Befestigungsart | Through Hole | - | Surface Mount | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | - | 60 V | - |
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2SK2466NEC
2SK2442VBSEMI
2SK2462(04)-AZRenesas Electronics America IncN-CHANNEL POWER MOSFET
2SK2461NEC
2SK2462NEC
2SK2446Fujitsu Electronics America, Inc.Ihre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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