- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.952 | $0.95 |
| 250+ | $0.369 | $92.25 |
| 500+ | $0.356 | $178.00 |
| 1000+ | $0.35 | $350.00 |
CSD17579Q3AT Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17579Q3AT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17579Q3AT
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Texas Instruments | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-VSONP (3x3.3) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2mOhm @ 8A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 3.2W (Ta), 29W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 998 pF @ 15 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) | |
| Grundproduktnummer | CSD17579 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17579Q3AT.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | CSD17579Q3A | CSD17579Q5AT | CSD17577Q3AT | CSD17578Q3AT |
| Hersteller | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | - | - | - |
| Grundproduktnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Verlustleistung (max) | - | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | - | - | - |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Typ FET | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Technologie | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
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CSD17579Q3ARTexas Instruments
CSD17585F5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
CSD17585F5TTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
CSD17578Q5ATTexas Instruments
CSD17581Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
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CSD17579Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 35A 8VSONIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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