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CSD19506KTT - Texas Instruments

Name: Texas Instruments CSD19506KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD19506KTT
Price: 3.641 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (4 reviews)

Hersteller Artikelnummer: CSD19506KTT

Hersteller: Texas Instruments

Allelco Artikelnummer: 32D-CSD19506KTT

Garantie: 1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus

Teile Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK

Verpackung: DDPAK/TO-263-3

Datenblatt: -

RoHS Status: ROHS3 -konform

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Spezifikation

CSD19506KTT Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD19506KTT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD19506KTT

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Texas Instruments
VGS (th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	DDPAK/TO-263-3
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	375W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	12200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	156 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200A (Ta)
Grundproduktnummer	CSD19506

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT	BESCHREIBUNG
RoHS Status	ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)	2 (1 Year)
Status erreichen	REACH Unaffected
ECCN	EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

CSD19506KTT

Hersteller

Texas Instrumente

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor für Stromverwaltungsanwendungen

Produktfunktionen und Leistung

80V Drain-Source-Spannung (VDSS)

± 20 V Gate-Source-Spannung (VGS)

3mΩ Drain-Source On-Resistenance (RDS (ON)) bei 100A, 10 V

200A kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bei 25 ° C

12200PF -Eingangskapazität (CISS) bei 40 V

375W Leistungsdissipation (TC)

Breiter Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 175 ° C

Produktvorteile

Hoher Effizienz und niedriger Stromverlust

Kompaktes und platzsparendes DDPAK/TO-263-3-Paket

Geeignet für hochstromige, Hochleistungsanwendungen

Wichtige technische Parameter

MOSFET-Technologie: N-Kanal

Vgs (th) (max): 3,2 V @ 250a

Gate Drive -Spannung: 6 V (maximale RDS (Ein)), 10 V (min RDS (ON))

Gate Ladung (QG): 156NC @ 10V

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Geeignet für Anwendungen zur Oberflächenmontage

Kompatibilität

Kompatibel mit einer Vielzahl von Leistungsmanagement- und Hochstromkreisschaltungskonstruktionen

Anwendungsbereiche

Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

DC-DC-Konverter

Industrie- und Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Derzeit in Produktion.Keine Pläne für die Absage.Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar.

Hauptgründe zur Auswahl

Hoher Effizienz und niedriger Stromverlust für eine verbesserte Systemleistung

Kompaktes und platzsparendes Paket für Designflexibilität

Geeignet für hochstromige, Hochleistungsanwendungen

Breiter Betriebstemperaturbereich für verschiedene Umweltbedingungen

Robuste Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale für einen zuverlässigen Betrieb

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD19506KTT.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	CSD19506KTTT	CSD19505KTT	CSD19505KTTT	CSD19532KTT
Hersteller	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
FET-Merkmal	-	-	-	-
Verlustleistung (max)	-	-	-	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-	-	-	-
Typ FET	-	-	-	-
Serie	-	-	-	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-	-	-	-
Verpackung / Gehäuse	-	196-LFBGA	16-DIP (0.300', 7.62mm)	64-VFQFN Exposed Pad
Paket	-	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Befestigungsart	-	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse	-	196-NFBGA (12x12)	16-PDIP	64-VQFN (9x9)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-	-	-	-
Technologie	-	-	-	-
VGS (th) (Max) @ Id	-	-	-	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-	-	-	-
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	-	-	-
Betriebstemperatur	-	-40°C ~ 85°C	0°C ~ 70°C	-40°C ~ 85°C
Vgs (Max)	-	-	-	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	-	-	-	-
Grundproduktnummer	-	DAC34H84	MAX500	ADS62P42

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

Jess***Jones

2026/04/17

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Kevi***.

2026/03/17

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Daou***hekebkeb

2024/06/16

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2024/06/19

Good comunication,
Transpnt regarding the process and price.
Yaqu***l Ali

2024/06/19

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Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

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Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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