Hersteller Teilnummer
CSD19502Q5B
Hersteller
Texas Instrumente
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Nexfet-Power-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Sehr geringe Vorbeständigkeit für hohe Effizienz
Hochleistungsdichte mit ausgezeichnetem thermischen Management
Schnelle Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Produktvorteile
Branchenführende niedrige vor Ort für überlegene Effizienz
Kompaktpaket für Hochleistungsdichte
Ausgezeichnete thermische Leistung für einen zuverlässigen Betrieb
Hochfrequenzschaltfunktion
Wichtige technische Parameter
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 80V
On-Resistenz (RDS (ON)): 4,1 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 100a
Eingangskapazität (CISS): 4870PF
Leistungsdissipation (max): 3.1W (TA), 195W (TC)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für hochzuverständliche und sicherheitskritische Anwendungen
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette von Stromversorgungsanwendungen und Motorsteuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Wechselrichter, Konverter und Motorfahrten
Netzteile und Batterieladegeräte
Industrie- und Automobilelektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in aktiver Produktion
Ersatz- oder verbesserte Produkte können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Branchenführende Voraufstandsresistenz für maximale Effizienz
Hochleistungsdichte und ausgezeichnete thermische Leistung für den zuverlässigen Betrieb
Schnelle Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
ROHS3-Konformität für den Einsatz in sicherheitskritischen Systemen
