Hersteller Teilnummer
2STA2121
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Bipolare Junction Transistor (BJT) Single
Produktfunktionen und Leistung
Hochleistungshandhabungsfähigkeit: 220W
Hochspannung standbar: 250 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
Hochstromfähigkeit: 17A -Kollektorstrom (max)
Hoch -Gleichstromstromverstärkung: 80 (min) @ 1a, 5V
Hohe Schaltgeschwindigkeit: 25 MHz Übergangsfrequenz
Produktvorteile
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Optimal für Hochspannung und Hochstromkreise
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremitter (max): 250 V
Aktueller Sammler (IC) (max): 17a
Aktueller Sammler Cutoff (max): 5a (ICBO)
VCE -Sättigung (max) @ IB, IC: 3V @ 800 mA, 8a
Transistortyp: PNP
Gleichstromverstärkung (HFE) (min) @ IC, VCE: 80 @ 1A, 5V
Frequenzübergang: 25 MHz
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für Hochtemperaturoperationen: 150 ° C (TJ)
Kompatibilität
Paket: to-264-3, to-264aa
Montagetyp: Durch Loch
Anwendungsbereiche
Hochleistungselektronik
Industriekontrollen
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Fähigkeit zur Krafthandhabung
Hochspannungs- und Strombewertungen
Hochschaltungsgeschwindigkeitsleistung
Zuverlässiges und robustes Design
Geeignet für die anspruchsvolle Stromanwendungen
ROHS Compliance für Umweltfreundlichkeit
Breite Kompatibilität und Überleitungsoption
2STB155AAOmron Electronic Components
2STA1943STMicroelectronicsTRANS PNP 230V 15A TO264
2STB116PM-TPB-FREE