Hersteller Teilnummer
2stbn15d100
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-NPN Darlington Transistor
Produktfunktionen und Leistung
Stromverarbeitung bis zu 70 W.
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung bis zu 100 V
Sammlerstrom bis zu 12A
Sehr hoher Gleichstromverstärkung (HFE) von 750 Minimum bei 3a, 3V
Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung (VCESAT) von 1,3 V bei 4 mA, 4a
Produktvorteile
Geeignet für Hochstrom-, Hochleistungsschalt- und Verstärkeranwendungen
Robustes Design mit hoher Zuverlässigkeit
Kompakte DPAK (TO-263) Oberflächenmontagepaket
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 100V
Stromsammler (IC) (max): 12a
Aktueller Sammler Cutoff (max): 100a
VCE -Sättigung (max) @ ib, IC: 1,3V @ 4MA, 4a
Gleichstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vCE: 750 @ 3a, 3v
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Kompatibilität
DPAK (TO-263) Oberflächenmontagepaket
Anwendungsbereiche
Hochstrom-Stromschalt- und Verstärkerschaltungen
Motorkontrolle
Netzteile
Industriekontrollen
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Austausch und Upgrades können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungsbeschaffung und aktuelle Kapazität
Ausgezeichnete elektrische Eigenschaften mit sehr hoher Stromverstärkung und niedriger Sättigungsspannung
Robustes und zuverlässiges Design in einem kompakten Oberflächenmontagepaket
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen mit hoher Leistung

2STB116PM-TPB-FREE
2STB155AAOmron Electronic Components