Hersteller Teilnummer
2STR2230
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-PNP-Bipolar-Junction-Transistor (BJT) für einen breiten Bereich von allgemeinen Anwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
Hohe Stromfähigkeit bis zu 1,5A
Hohe Übergangsfrequenz von 100 MHz
Low Collector-Emitter-Sättigungsspannung von 800 mV @ 200 mA, 2a
Breiter Betriebstemperaturbereich von -65 ° C bis 150 ° C
Kompakte Oberflächenmontage SOT-23-3-Paket
Produktvorteile
Ausgezeichnete Leistungsfähigkeit und -schaltfunktionen
Hochgeschwindigkeitsbetrieb für eine effiziente Leistung
Niedriger Stromverlust und thermisches Management
Vielseitiges Paket für platzbeschränkte Designs
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (MAX): 30V
Sammlerstrom (max): 1,5a
Gleichstromverstärkung (HFE) (min): 170 @ 500 mA, 2V
Stromversorgung (max): 500 mW
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform für die Umweltverantwortung
Zuverlässige und robuste Konstruktion für den langfristigen Gebrauch
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen und Systemen
Anwendungsbereiche
Allzweckverstärker und Schaltanwendungen
Netzteile, Konverter und Aufsichtsbehörden
Kfz -Elektronik- und industrielle Steuerungssysteme
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktangebot, nicht kurz vor dem Absetzen
Austausch- und Upgrade -Optionen beim Hersteller erhältlich
Hauptgründe zur Auswahl
Hochleistungs- und zuverlässiger Transistor für anspruchsvolle Anwendungen
Kompaktes Oberflächenmontagepaket für die effiziente Auslastung der Platine Space
Breiter Betriebstemperaturbereich für die Verwendung in verschiedenen Umgebungen
ROHS Compliance für umweltbewusste Designs
