Hersteller Teilnummer
2STR1160
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Produktfunktionen und Leistung
Entwickelt für allgemeine Verstärker und Schaltanwendungen
Hohe Sammler-Emitter-Breakdown-Spannung
Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung
Hoher Stromgewinn
Produktvorteile
Robuste und zuverlässige Leistung
Kompakte Oberflächenmontageverpackung
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen
Wichtige technische Parameter
Paket: SOT-23-3
Betriebstemperatur: 150 ° C (TJ)
Leistungsbewertung: 500 MW
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 60 V
Sammlerstrom (max): 1 a
Collector Cutoff Current: 100 NA (ICBO)
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 430 mV @ 100 mA, 1 a
Gleichstromverstärkung (HFE): 180 @ 500 mA, 2 V.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässige und langlebige Konstruktion
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von allgemeinen Verstärkern und Schaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Unterhaltungselektronik
Industrielle Kontrolle
Netzteile
Telekommunikationsgeräte
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine Pläne für die Absetzen
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Robuste und zuverlässige Leistung
Kompakte Oberflächenmontageverpackung
Breiter Betriebstemperaturbereich
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen
Kostengünstige Lösung
