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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB120N4F6
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STB120N4F6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB120N4F6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB120N4F6
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Verpackung
D²PAK (TO-263)
Datenblatt
1.STB120N4F6.pdf ...

Datenblätter

STx120N4F6.pdf

PCN -Design/Spezifikation

D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STB120N4F6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB120N4F6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB120N4F6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer STB120  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB120N4F6

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Der STB120N4F6 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor für Automobil- und Industrieanwendungen.

Produktfunktionen und Leistung

N-Kanal-MOSFET mit geringem Auftragsresistenz

Geeignet für Hochleistungsanwendungen mit hoher Frequenzschaltanwendungen

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C

Hoher kontinuierlicher Abflussstrom von 80A bei 25 ° C -Falltemperatur

Ladung und Eingangskapazität mit niedriger Gate für effizientes Schalten

Robustes Design für harte Umgebungen

Produktvorteile

Ausgezeichnete thermische Leistungs- und Leistungshandhabungsfähigkeit

Schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Schaltverluste

Kompaktes DPAK (TO-263) -Paket für platzeffizientes Design

Automotive-qualifizierter und AEC-Q101-konform

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDS): 40 V

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 20 V

Widerstand auf dem Staat (RDS (ON)): 4mΩ @ 40a, 10 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 80A @ 25 ° C Falltemperatur

Eingangskapazität (CISS): 3850PF @ 25V

Leistungsdissipation (PD): 110W bei 25 ° C Falltemperatur

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert

Geeignet für hochverträgliche Umgebungen mit hoher Stress

Kompatibilität

Entworfen

Kann als Ersatz oder Upgrade für ähnliche N-Kanal-MOSFET-Geräte verwendet werden

Anwendungsbereiche

Elektrofahrzeuge und hybride Elektrofahrzeuge

Powerkonverter und Wechselrichter

Motor fährt

Industrieautomatisierung und Steuerungssysteme

Stromversorgungsversorgung

Produktlebenszyklus

Dieses Produkt befindet sich derzeit in der Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen.

Ersatz- und Upgrade -Optionen sind bei STMICROELECTRONICS erhältlich.

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Außergewöhnliche Leistung und Effizienz für Hochleistungs-Hochfrequenzanwendungen

Robustes Design und Zuverlässigkeit der Automobilqualität

Kompaktes und platzsparendes DPAK (to-263) -Paket

Umfangreiche technische Unterstützung und langfristige Verfügbarkeit von STMICROELECTRONICS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB120N4F6.

Produkteigenschaften STB120N4LF6 STB120N10F4 STB120NF10T4 STB11NM60N-1
Artikelnummer STB120N4LF6 STB120N10F4 STB120NF10T4 STB11NM60N-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Technologie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Supplier Device-Gehäuse - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Grundproduktnummer - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Vgs (Max) - - - -
Serie - - - -
Betriebstemperatur - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - -
Verlustleistung (max) - - - -
Typ FET - - - -
Verpackung / Gehäuse - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Befestigungsart - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Paket - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -

STB120N4F6 Datenblatt PDF

Laden Sie STB120N4F6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB120N4F6 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx120N4F6.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

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Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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