Hersteller Teilnummer
STB13007DT4
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-NPN-Bipolar-Junction-Transistor (BJT)
Geeignet für Hochspannungs-, Hochstromwechsel- und Verstärkeranwendungen
Produktfunktionen und Leistung
In der Lage, bis zu 80 W Strom zu bearbeiten
Aufschlüsselungsspannung von bis zu 400 V zwischen Sammler und Emitter
Maximaler Sammlerstrom von 8a
Minimaler Gleichstromverstärkung (HFE) von 8 bei 5a und 5 V
Produktvorteile
Robustes Design für Hochstressanwendungen
Kompakte Dpak -Oberflächenmontagepaket
ROHS3 -konform für die Umweltkonformität
Wichtige technische Parameter
Betriebstemperatur bis zu 150 ° C
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung von 3 V bei 1a, 5a
Collector Cutoff Strom bis zu 100A
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Einhaltung der Richtlinien von ROHS3 für gefährliche Substanzbeschränkungen
Zuverlässiges und langlebiges DPAK -Paketdesign
Kompatibilität
Geeignet für Hochspannungs-, Hochstromwechsel- und Verstärkeranwendungen
Kann in einer Vielzahl von Strome -Elektronik- und industriellen Steuerungssystemen verwendet werden
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrial Control Systems
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Zu diesem Zeitpunkt keine Pläne zur Absage
Austausch- oder Upgrade -Optionen können in Zukunft verfügbar sein
Hauptgründe zur Auswahl
Hochleistungshandhabungsfähigkeit bis zu 80W
Robustes Design für Hochstressanwendungen
Kompakte Oberflächenhalterung DPAK -Paket
ROHS3 Compliance für Umweltvorschriften
Geeignet für eine Vielzahl von elektronischen Hochleistungsanwendungen
