Hersteller Teilnummer
STB18N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannung, Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet
Produktfunktionen und Leistung
650 V Drain-to-Source-Spannung
Niedrige On-Resistenz von 220 mΩ
Hohe Stromfähigkeit bis zu 15a
Schnelle Schaltleistung
Ladung und Eingangskapazität niedriger Gate
Geeignet für Hochfrequenzschaltanwendungen
Produktvorteile
Robustes Design für Hochspannung und Hochleistungsanwendungen
Optimiert für die Umwandlung mit hoher Effizienzkraft
Reduzierter Stromverlust und verbesserte Systemeffizienz
Kompaktes DPAK (TO-263) -Paket für platzsparende Designs
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 220 mΩ @ 7,5A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 15a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 1240PF @ 100V
Leistungsdissipation (TC): 110W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Verstärkte Isolierung für den Betrieb mit Hochspannung
Robustes Design für zuverlässige Leistung
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen mit hoher Stromschaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Switch-Mode-Netzteile (SMPS)
Motor fährt
Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Industrieautomatisierung und Kontrolle
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich noch in aktiver Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen kurz
Ersatz-/Upgrade -Optionen für zukünftige Anforderungen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistungsbearbeitungsfähigkeit und Hochspannungsbewertung
Optimiert für die Umwandlung mit hoher Effizienzkraft
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Kompaktes DPAK-Paket für platzsparende Designs
Breite Kompatibilität und Eignung für verschiedene Hochleistungsanwendungen
STB170NF04 MOSSTMicroelectronics
STB190NF04SR