Hersteller Teilnummer
STB24NM65N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) Vorrichtung
Teil der Stmicroelectronics Mdmesh II -Serie
Produktfunktionen und Leistung
N-Kanal-Mosfet
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS) von 650 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS) von ± 25 V
Resistenz im Stadium (RDS (ON)) von 190MOHM @ 9,5A, 10V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) von 19a bei 25 ° C
Eingangskapazität (CISS) von 2500PF @ 50V
Leistungsdissipation (PC) von 160 W bei 25 ° C
Betriebstemperaturbereich bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Hochspannungsfähigkeit
Niedriger Widerstand im Zustand
Hoher Stromhandhabung
Geeignet für Hochleistungs- und Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Transistorentyp: N-Kanal-MOSFET
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 650 V
Tor zur Quellspannung (VGS): ± 25 V
Resistenz für On-State (RDS (ON)): 190MOHM @ 9.5A, 10V
Durchgangsabflussstrom (ID): 19a bei 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 2500PF @ 50V
Stromversorgung (PC): 160 W bei 25 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für die Oberflächenmontagebaugruppe
Kompatibilität
Branchenstandard D2pak (TO-263-3) Paket
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Industrieautomatisierung
Erneuerbare Energiesysteme
Haushaltsgeräte
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, kein Hinweis auf Absetzen
Ersatz- und Upgrade -Optionen bei STMICROELECTRONICS erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten
Niedriger Widerstand gegen den Staat gegen eine verbesserte Effizienz
Kompaktes Oberflächenmontagepaket für platzbeschränkte Designs
Nachgewiesene Zuverlässigkeit und Leistung in verschiedenen Stromerziehungsanwendungen
Unterstützt von einem führenden Halbleiterhersteller, Stmicroelectronics
STB251-78Carling TechnologiesSWITCH TOGGLE
STB24N60M2 24N60M2STMicroelectronics