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STB30N65M2AG - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB30N65M2AG
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB30N65M2AG
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Verpackung
D²PAK (TO-263)
Datenblatt
1.STB30N65M2AG.pdf ...

Datenblätter

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RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STB30N65M2AG Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB30N65M2AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB30N65M2AG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 190W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer STB30  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Hours)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB30N65M2AG

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit überlegenen Leistungsmerkmalen für Automobilanwendungen.

Produktfunktionen und Leistung

Hochspannung von 650 V

Niedrige On-Resistenz von 180 mΩ

Kontinuierlicher Abflussstrom von 20a bei 25 ° C

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C

Niedrige Eingangskapazität von 1440PF

Maximale Leistungsabteilung von 190W

Produktvorteile

Hervorragende Zuverlässigkeit und Robustheit für den Einsatz von Automobilen

Unterstützt Hochspannungs- und Hochstromanwendungen

Effiziente Leistungsumwandlung mit geringen Verlusten

Geeignet für harte Umgebungen und Hochtemperaturbetrieb

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 180 mΩ @ 10a, 10V

Abflussstrom (ID): 20A (TC)

Eingangskapazität (CISS): 1440PF @ 100V

Leistungsdissipation (PD): 190W (TC)

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

AEC-Q101 Automotive qualifiziert

ROHS3 -konform

Kompatibilität

Geeignet für eine breite Palette von Automobil- und Industrieanwendungen

Anwendungsbereiche

Automobilsysteme (z. B. Motorantriebe, Netzteile, Wechselrichter)

Umwandlung und Kontrollkreise für Industriekraft und Kontrollkreise

Produktlebenszyklus

Dieses Produkt befindet sich derzeit in Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen.

Ersatz- oder verbesserte Modelle können in Zukunft verfügbar werden.

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Ausgezeichnete Leistung und Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen

Unterstützt hohe Spannung und hohe Stromanforderungen

Effiziente Leistungsumwandlung mit geringen Verlusten

Geeignet für harte Umgebungen und Hochtemperaturoperationen

Automobilqualifikation und ROHS -Einhaltung

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB30N65M2AG.

Produkteigenschaften STB30N65M2AG STB30N80K5 STB30N65M5 STB30NF10T4
Artikelnummer STB30N65M2AG STB30N80K5 STB30N65M5 STB30NF10T4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 800 V 650 V 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 24A (Tc) 22A (Tc) 35A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer STB30 STB30 STB30 STB30
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 190W (Tc) 250W (Tc) 140W (Tc) 115W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.8 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 100 V 1530 pF @ 100 V 2880 pF @ 100 V 1180 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V 180mOhm @ 12A, 10V 139mOhm @ 11A, 10V 45mOhm @ 15A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101 MDmesh™ K5 MDmesh™ V STripFET™ II

STB30N65M2AG Datenblatt PDF

Laden Sie STB30N65M2AG PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB30N65M2AG - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STB30N65M2AG.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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  • Lea ***
    2024/06/19

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Japan 4
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