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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB30N65M5
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STB30N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB30N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB30N65M5
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Verpackung
D2PAK
Datenblatt
1.STB30N65M5.pdf ...

Datenblätter

STx30N65M5.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STB30N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB30N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB30N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 139mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer STB30  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB30N65M5

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet in einem D2PAK-Paket

Teil der Mdmesh V -Serie

Produktfunktionen und Leistung

Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS) von 650 V

Maximale Gate-Source-Spannung (VGS) von ± 25 V

Widerstand auf den Staat (RDS (ON)) von 139 mΩ bei 11A, 10 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) von 22a bei 25 ° C

Eingangskapazität (CISS) von 2880PF bei 100 V

Maximale Leistung von 140 W bei TC

Produktvorteile

Ausgezeichnete Energieeffizienz aufgrund eines geringen Widerstands im Zustand

Hohe Lawinenfähigkeit und Robustheit

Geeignet für Hochspannungsanwendungen mit hoher Stromversorgung

Wichtige technische Parameter

MOSFET-Technologie: N-Kanal

Schwellenspannung (VGS (TH)) von 5 V bei 250a

Torladung (QG) von 64 Nc bei 10 V

Betriebstemperatur bis zu 150 ° C

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

D2pak -Oberflächenmontagepaket

Kompatibilität

Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen mit hoher Stromstromelektronik

Anwendungsbereiche

Stromversorgungsversorgungen

Motor fährt

Wechselrichter

Industrie- und Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Derzeit in aktiver Produktion

Keine bekannten Pläne für den Absetzen

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hervorragende Leistungs- und Effizienzeigenschaften

Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen

Breiter Betriebstemperaturbereich

Kompatibel mit verschiedenen Hochleistungselektroniksystemen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB30N65M5.

Produkteigenschaften STB30N65M5 STB30NF10T4 STB30N80K5 STB30N65M2AG
Artikelnummer STB30N65M5 STB30NF10T4 STB30N80K5 STB30N65M2AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V STripFET™ II MDmesh™ K5 Automotive, AEC-Q101
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 30.8 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 115W (Tc) 250W (Tc) 190W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 139mOhm @ 11A, 10V 45mOhm @ 15A, 10V 180mOhm @ 12A, 10V 180mOhm @ 10A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 35A (Tc) 24A (Tc) 20A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 100 V 1180 pF @ 25 V 1530 pF @ 100 V 1440 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 100 V 800 V 650 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±25V
Grundproduktnummer STB30 STB30 STB30 STB30
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB30N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STB30N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB30N65M5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx30N65M5.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
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    2024/06/19

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