Hersteller Teilnummer
STB4NK60Z-1
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
N-Kanal 600V MOSFET im TO-262-Paket
Produktfunktionen und Leistung
600 V Drain-Source-Spannung
4a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
2 Ω Maximal On-Resistenz bei 2a, 10 V
510PF Maximale Eingangskapazität bei 25 V.
70W Maximale Leistung Dissipation bei TC
26nc Maximale Torladung bei 10 V
Produktvorteile
Optimiert für Hochspannungsanwendungen mit Hochleistungsschaltanwendungen
Hervorragende Schaltleistung mit niedrigen Leitungsverlusten
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Wichtige technische Parameter
N-Kanal-Mosfet
600 V Drain-Source-Spannung
30 V Maximale Gate-Source-Spannung
150 ° C Maximale Anschlusstemperatur
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Hermetisch versiegeltes I2PAK -Paket für robuste Leistung
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen mit Hochleistungsschaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Industriekontrollen
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit erhältlich und nähert sich nicht dem Absetzen.Austausch- oder Upgrade -Optionen können verfügbar sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Hochspannung und Hochleistungsschaltausschaltungsleistung
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Optimiert für Effizienz und Energieeinsparungen
Kompatibel mit einer Vielzahl von Hochleistungssystemen

STB4NB80T4STM