Hersteller Teilnummer
STD14NM50N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Geeignet für den Einsatz in Hochspannungsanwendungen mit Hochleistungsschaltanwendungen
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Schneller Schalter für eine verbesserte Systemleistung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Hervorragende Effizienz und niedriger Stromverlust
Zuverlässiges und robustes Design
Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 500 V.
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 320 MΩ @ 6 A, 10 V.
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 12 A @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 816 PF @ 50 V
Stromversorgung (PD): 90 W @ 25 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für den Hochtemperaturbetrieb von bis zu 150 ° C
Kompatibilität
DPAK (to-252-3) Paket
Geeignet für die Oberflächenmontagebaugruppe
Anwendungsbereiche
Hochspannungsnahrungsmittel
Motor fährt
Wechselrichter
Stromversorgungsversorgung
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt nähert sich nicht dem Absetzen und bleibt aktiv am Portfolio von STMICROELECTRONICS.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Effizienz und niedriger Stromverlust, was zu einer verbesserten Systemleistung führt
Zuverlässiges und robustes Design für den langfristigen Betrieb
Breiter Betriebstemperaturbereich für die Verwendung in anspruchsvollen Anwendungen
Kompatibilität mit standardmäßigen Oberflächenmontage -Montageprozessen
Eignung für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen mit Hochleistungsschaltanwendungen
STD13N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 10A DPAK
STD1501-ADJM-TRGSEMTRON
STD140N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 80A DPAK